MRF7S35120HSR3参数:MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:250系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS频率:3.1GHz增益:12dB电压 - 测试:32V额定电流:10µA噪声系数:-电流 - 测试:150mA功率 - 输出:120W电压 - 额定:65V封装:NI-780S供应商器件封装:NI-780S