MRF8P20100HR3参数:FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:250系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS(双)频率:2.03GHz增益:16dB电压 - 测试:28V额定电流:-噪声系数:-电流 - 测试:400mA功率 - 输出:20W电压 - 额定:65V封装:NI-780-4供应商器件封装:NI-780-4