MRF8P20100HR3参数：FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：250系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：LDMOS（双）频率：2.03GHz增益：16dB电压 - 测试：28V额定电流：-噪声系数：-电流 - 测试：400mA功率 - 输出：20W电压 - 额定：65V封装：NI-780-4供应商器件封装：NI-780-4
