MRF8P20160HSR3参数:DISCRETE RF FET
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:250系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS(双)频率:1.92GHz增益:16.5dB电压 - 测试:28V额定电流:-噪声系数:-电流 - 测试:550mA功率 - 输出:37W电压 - 额定:65V封装:NI-780HS-4供应商器件封装:NI-780HS-4