MRF8S18120HSR5参数:MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:50系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS频率:1.81GHz增益:18.2dB电压 - 测试:28V额定电流:10µA噪声系数:-电流 - 测试:800mA功率 - 输出:72W电压 - 额定:65V封装:NI-780S供应商器件封装:NI-780S