MRF8S21120HR3参数:FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780H
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:250系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS频率:2.17GHz增益:17.6dB电压 - 测试:28V额定电流:-噪声系数:-电流 - 测试:850mA功率 - 输出:28W电压 - 额定:65V封装:NI-780供应商器件封装:NI-780