MRF8S21120HSR3参数：FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：250系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：LDMOS频率：2.17GHz增益：17.6dB电压 - 测试：28V额定电流：-噪声系数：-电流 - 测试：850mA功率 - 输出：28W电压 - 额定：65V封装：NI-780S供应商器件封装：NI-780S
