MRF8S21140HSR3参数:FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:250系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS频率:2.14GHz增益:17.9dB电压 - 测试:28V额定电流:-噪声系数:-电流 - 测试:970mA功率 - 输出:34W电压 - 额定:65V封装:NI-780S供应商器件封装:NI-780S