MRFE6S9160HSR3参数：MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：250系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：LDMOS频率：880MHz增益：21dB电压 - 测试：28V额定电流：10µA噪声系数：-电流 - 测试：1.2A功率 - 输出：35W电压 - 额定：66V封装：NI-780S供应商器件封装：NI-780S
