MRFE6VP100HR5参数:TRANS RF H-CH FET LDMOS NI780
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:50系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS频率:1.8MHz ~ 2GHz增益:26dB电压 - 测试:50V额定电流:-噪声系数:-电流 - 测试:100mA功率 - 输出:100W电压 - 额定:133V封装:NI-780-4供应商器件封装:NI-780-4