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MSD602-RT1

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MSD602-RT1 优势库存
ON
SOT23
2023+
9350
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MSD602-RT1G 优势库存
LRC
SOT-23
2023+
303352
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MSD602-RT1G
onsemi
SC-59
2023+
64827
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MSD602-RT1/WR
MOTOROAL
SOT-23
2023+
9000
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MSD602-RT1G
ONSemiconductor
SC-59-3，SMT3..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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MSD602-RT1/2SD602-R
ON
SOT-23
2023+
15000
品质保证,价格优惠
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MSD602-RT1
ON
SOT-23
2023+
27000
品质保证,价格优惠
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MSD602-RT1G
ONSemiconducto..
TO-236-3,SC-..
2023+
1250
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MSD602-RT1(WR)
ON
SOT23
2023+
20557
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MSD602-RT1
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SOT23
2023+
8557
全新进口原装现货,特价热卖
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MSD602-RT1G
ON
SOT-23
2023+
5557
工厂配单，价格优势
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MSD602-RT1/WR
MOTOROAL
SOT-23
2023+
11557
工厂配单，价格优势
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MSD602-RT1G/WR
ON
23
2023+
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工厂配单，价格优势
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MSD602-RT1G
ON
SC-59-3
2023+
16000
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相关型号： MSD601-ST1G MSD601-ST1 MSD601-RT1G MSD601-RT1 MSD52-16 MSD52-12

MSD602-RT1G
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MSD602-RT1G参数：TRANS GP NPN 100MA 50V SC59

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品变化通告： CopperWireChange29/Oct/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：600mV@30mA，300mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：120@150mA，10V
功率-最大值：200mW
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59

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