MTB50P03HDLT4参数：MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@25A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4900pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
