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MTD1N60E

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相关型号： MTD1200M3B MTD1114M3B MTD10N10ELT4 MTCMR-H5 MTCMR-H4-P3 MTCMR-H4-P2

MTD10N10ELT4
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MTD10N10ELT4参数：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence01/Jul/2005
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220毫欧@5A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1040pF@25V
功率-最大值：1.75W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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