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MTD20N06HDT4

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相关型号： MTD1200M3B MTD1114M3B MTD10N10ELT4 MTCMR-H5 MTCMR-H4-P3 MTCMR-H4-P2

MTD20P03HDLT4
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MTD20P03HDLT4参数：MOSFET P-CH 30V 19A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation30/Jun/2004
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：99毫欧@9.5A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22.4nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1064pF@25V
功率-最大值：75W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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