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MTD6N10

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相关型号： MTD6505T-E/NA MTD6502B-LC1-02 MTD6502B-LC1-01 MTD6502B-LC1-00 MTD6502B-HC1-02 MTD6502B-HC1-01

MTD6N15T4
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MTD6N15T4参数：MOSFET N-CH 150V 6A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@25V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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