MTD6N15T4参数:MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装:10系列:-包装:剪切带(CT)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):150V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):300毫欧@3A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):30nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1200pF@25V功率-最大值:1.25W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:DPAK-3