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MTD6N20

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MTD6N20T4G 优势库存
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TO-252
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MTD6N20ET4G 优势库存
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MTD6N20E1 优势库存
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MTD6N20ET4G
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MTD6N20ET4
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MTD6N20E
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MTD6N20ET4
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SOT252
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MTD6N20ET4G
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MTD6N20T4G
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品质保证,价格优惠
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MTD6N20ET4
ONSemiconductor
DPak,SC-63,T..
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品质保证,价格优惠
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MTD6N20ET4G
ONSemiconductor
DPak,SC-63,T..
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6000
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MTD6N20ET4G
ONSemiconducto..
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MTD6N20-T4
MOT
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工厂配单，价格优势
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优势现货量大可供实单价可谈
MTD6N20ET4G
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DPAK-2
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16000
【【【原装绝对有货】】】
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NA
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只做原装正品现货
相关型号： MTD6N15T4GV MTD6N15T4G MTD6N15T4 MTD6505T-E/NA MTD6502B-LC1-02 MTD6502B-LC1-01

MTD6N20ET4
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MTD6N20ET4参数：MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：700毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：480pF@25V
功率-最大值：1.75W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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