MTM761100LBF

MTM761100LBF
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MTM761100LBF参数：MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： MOSFETsforPowerManagement
产品目录绘图： MTM76xxxxLBF MTM76xxxxLBFPinOut
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：42毫欧@1A，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@10V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：WS迷你型6-F1
供应商器件封装：WS迷你型6-F1-B