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MTM78E2B0LBF

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MTM78E2B0LBF
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MTM78E2B0LBF参数：MOSFET N-CH DL 20V WSMINI8-F1-B

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： WSMini8Package MTM78E2BPinOut
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@2A，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.3V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@10V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：WS迷你型8-F1-B
供应商器件封装：W迷你型8-F1

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