MTM761100LBF参数：MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： MOSFETsforPowerManagement产品目录绘图： MTM76xxxxLBF MTM76xxxxLBFPinOut标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：42毫欧@1A，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@10V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：WS迷你型6-F1供应商器件封装：WS迷你型6-F1-B
