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MTMC8E2A0LBF

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MTMC8E2A0LBF
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MTMC8E2A0LBF参数：MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： MOSFETsforPowerManagement
产品目录绘图： WMini8 MTMC8E2A0LBF
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：21毫欧@2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.3V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1450pF@10V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：W迷你型8-F1

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