MTP12P10G参数:MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence01/Jul/2009标准包装:50系列:-包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):300毫欧@6A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):50nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):920pF@25V功率-最大值:75W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB