MTP20N15E参数：MOSFET N-CH 150V 20A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence19/Jun/2009标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：150V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55.9nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1627pF@25V功率-最大值：112W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB