MTP6P20E参数:MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence01/Apr/2004标准包装:50系列:-包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1欧姆@3A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):30nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):750pF@25V功率-最大值:75W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB