MTY100N10E参数:MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation30/Jun/2004标准包装:25系列:-包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):11毫欧@50A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):378nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):10640pF@25V功率-最大值:300W安装类型:通孔封装:TO-264-3,TO-264AA供应商器件封装:TO-264