MUBW45-12T6K参数：MODULE IGBT CBI E1
类别：半导体模块-IGBT标准包装：10系列：-IGBT 类型：沟道配置：三相反相器，带制动器电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.1V @ 15V，45A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：43A电流 - 集电极截止（最大值）：1.25mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：1.81nF @ 25V功率 - 最大值：160W输入：三相桥式整流器NTC 热敏电阻：是安装类型：底座安装封装：E1供应商器件封装：E1
