MUBW50-12T8参数：MODULE IGBT CBI E3
类别：半导体模块-IGBT标准包装：5系列：-IGBT 类型：沟道配置：三相反相器，带制动器电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.15V @ 15V，50A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A电流 - 集电极截止（最大值）：2.7mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：3.5nF @ 25V功率 - 最大值：270W输入：三相桥式整流器NTC 热敏电阻：是安装类型：底座安装封装：E3供应商器件封装：E3
