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MUN2212T1

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MUN2212T1(8B)
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MUN2212T1SOT23-8B
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相关型号： MUN2211T3G MUN2211T3 MUN2211T1G MUN2211T1 MUN2211JT1G MUN2211JT1

MUN2212T1
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MUN2212T1参数：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
晶体管类型：NPN-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：22k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：22k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：60@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：338mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59

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