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MUN5111T1

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MUN5111T1G 优势库存
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SOT-323
2023+
6352
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MUN5111T1
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2023+
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MUN5111T1
MOTOROAL
SOT-323
2023+
28000
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MUN5111T1/GA
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SOT-23
2023+
30000
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MUN5111T1G
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
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品质保证,价格优惠
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MUN5111T1G
ONSemiconducto..
SC-70,SOT-323
2023+
41990
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MOTOROLA
SOT-23
2023+
32557
工厂配单，价格优势
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MUN5111T1(6A)
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2023+
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工厂配单，价格优势
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MUN5111T1G
ON Semi
2023+
10,000
全新原装，发货2-4周
MUN5111T1G
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SC-70-3
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
MUN5111T1G
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优势库存，原装现货
2023+
0843+(PB)
￥3094深圳
相关型号： MUN5111DW1T1G MUN2241T1G MUN2241T1 MUN2240T1G MUN2237T1G MUN2236T1G

MUN5111T1G
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MUN5111T1G参数：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品变化通告： CopperWireChange29/Oct/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：PNP-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：202mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

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