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MUN5131

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MUN5131T1G
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
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MUN5131T1
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
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MUN5131DW1T1G
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SC-70-6，SC-8..
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MUN5131T1G
ONSemiconducto..
SC-70,SOT-323
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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电话：0755-83217923
联系人：李
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MUN5131T1
ONSemiconducto..
SC-70,SOT-323
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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MUN5131DW1T1G
ONSemiconducto..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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MUN5131T1(6H)
ON
SOT323
2023+
28278
全新进口原装现货,保证质量
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MUN5131DW1
MOTO
SOT363
2023+
1447
全新进口原装现货,保证质量
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MUN5131
MOTO
SOT323
2023+
4956
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MUN5131T1G
ON
SOT323
2023+
8557
工厂配单，价格优势
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电话：0755-83217923
联系人：销售部
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MUN5131DW1T1G
ON
SOT-363
2023+
32557
工厂配单，价格优势
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电话：0755-83217923
联系人：销售部
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MUN5131DW1T1
ON
SOT-363
2023+
2316
工厂配单，价格优势
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MUN5131T1G
ON
SC-70-3
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
相关型号： MUN5130T1G MUN5130DW1T1G MUN5116T1G MUN5116T1 MUN5116DW1T1G MUN5116DW1T1

MUN5131DW1T1G
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MUN5131DW1T1G参数：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：2个PNP预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：2.2k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：2.2k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：8@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@5mA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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