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MUN5132

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MUN5132T1
ON
SOT323-3
2023+
6276
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MUN5132T1/6J
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SOT-323
2023+
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MUN5132DW1T1G
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SC-88/SC70-6..
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MUN5132T1G
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
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MUN5132T1G
ONSemiconducto..
SC-70,SOT-323
2023+
1250
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MUN5132DW1
MOTO
SOT363
2023+
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MUN5132
MOTO
SOT323
2023+
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MUN5132RT1
LRC
6J323
2023+
206557
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MUN5132T1/6J
ON
SOT-23
2023+
32557
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MUN5132DW1T1G
ON
SOT-363
2023+
32557
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电话：0755-83217923
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MUN5132DW1T1
ON
SOT-363
2023+
2316
工厂配单，价格优势
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MUN5132T1G
ON
SC-76SOD-323
2023+
32557
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MUN5132T1G
ON
SC-70-3
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
相关型号： MUN5131T1G MUN5131T1 MUN5131DW1T1G MUN5130T1G MUN5130DW1T1G MUN5116T1G

MUN5132T1G
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MUN5132T1G参数：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品变化通告： CopperWireChange29/Oct/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：PNP-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：4.7k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：15@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@1mA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：202mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

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