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MUN5211

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MUN5211T1G

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SOT323

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5557

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MUN5211T1

LRC

8A323

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23557

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MOTOROLA

6/SOT23

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MUN5211T1G/DTC114EU

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6000

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MUN5211/8A

MOTOROAL

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6000

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27350

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ONSemiconducto..

6-TSSOP,SC-8..

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49881

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6-TSSOP,SC-8..

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1250

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MUN5211DWITI

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SMD

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8557

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MUN5211DW1T1

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SOT-363

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2316

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MUN5211

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SOT-323

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MUN5211T1(8A)

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SOT323

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152497

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MUN5211T

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MUN5211DW1T1G

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MUN5211/8A

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MUN5211DW1T1G

ON

SOT363

2023+

9800

一级代理/全新原装现货/长..

MUN5211DW1T1G

ON Semi

2023+

10,000

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MUN5211T1G

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SC-70/SOT-32..

2023+

16000

【【【原装绝对有货】】】

MUN5211DW1T1G

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SOT-363-6

2023+

16000

【【【原装绝对有货】】】

相关型号： MUN5137T1G MUN5137T1 MUN5137DW1T1G MUN5137DW1T1 MUN5136T1 MUN5136DW1T1

MUN5211DW1T1
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MUN5211DW1T1参数：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品变化通告： WireChange08/Jun/2009 ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
晶体管类型：2个NPN预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363