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MUN5213DW1T1

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MUN5213DW1T1G 优势库存
ON
sc70-6
2023+
11010
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MUN5213DW1T1
MOTOROLA
2023+
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MUN5213DW1T1
ON
SOT363
2023+
1000
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MUN5213DW1T1G
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
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MUN5213DW1T1G
ONSemiconducto..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
30350
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MUN5213DW1T1G
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SOT-363
2023+
32557
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MUN5213DW1T1(7C)
ON
SOT363
2023+
10278
全新进口原装现货,保证质量
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MUN5213DW1T1G
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2023+
33000
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SOT-363(PB-F..
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SOT23-6
2023+
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2023+
0619+(PB)
￥2410深圳
相关型号： MUN5212T1G MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1 MUN5211T1G MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1

MUN5213DW1T1G
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MUN5213DW1T1G参数：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品变化通告： WireChange08/Jun/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：2个NPN预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：47k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：47k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：80@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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