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MUN5214

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MUN5214DW1T1G 优势库存
LRC
SOT-363
2023+
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MUN5214T1G
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SOT-323
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MUN5214DW1T1
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MUN5214DW1T1G
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SOT-363
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MUN5214T1
ONSemiconductor
SC-70-3,SOT-..
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MUN5214T1/8D
MOTOROAL
SOT-323
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MUN5214T1G
ONSemiconductor
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6000
品质保证,价格优惠
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MUN5214DW1T1G
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
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MUN5214T1
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SC-70,SOT-323
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MUN5214DW1T1G
ONSemiconducto..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
33350
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MUN5214DW1T1(7D)
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SOT363
2023+
433278
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MUN5214DW1
MOTO
SOT363
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1855
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MUN5214
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17550
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MUN5214T1(8D)
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MUN5214T1/8D
MOTOROAL
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2023+
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工厂配单，价格优势
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电话：0755-83217923
联系人：销售部
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MUN5214DWT1
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SOT-363
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18678
工厂配单，价格优势
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MUN5214DW1T1G
原装正品
原厂封装
2023+
9850
一级代理分销/全新现货/长..
MUN5214T1G
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SC-70-3
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
MUN5214DW1T1G
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SOT-363(PB-F..
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相关型号： MUN5213T1G MUN5213DW1T3G MUN5213DW1T1G MUN5212T1G MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1

MUN5214DW1T1G
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MUN5214DW1T1G参数：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品变化通告： WireChange08/Jun/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：2个NPN预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：47k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：80@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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