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MUN5216DW1T1

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MUN5216DW1T1
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SOT-363
2023+
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MUN5216DW1T1G
ONSemiconductor
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6-TSSOP,SC-8..
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MUN5216DW1T1G
ON
SOT-363
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MUN5216DW1T1(7F)
ON
SOT363
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MUN5216DW1T1G
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MUN5216DW1T1G
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SOT-363-6
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相关型号： MUN5215T1G MUN5215T1 MUN5215DW1T1G MUN5214T1G MUN5214T1 MUN5214DW1T1G

MUN5216DW1T1
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MUN5216DW1T1参数：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：2个NPN预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：160@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@1mA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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