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MUN5235DW1

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MUN5235DW1T1G 优势库存
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SC70-6
2023+
7622
全新原厂原装现货
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MUN5235DW1T1 优势库存
N
SOT-363
2023+
6352
全新进口原装现货，即时发货
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MUN5235DW1T1
ON
SOT-363
2023+
2316
特价现货,即时发货
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MUN5235DW1T1G
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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MUN5235DW1T1
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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MUN5235DW1T1
ONSemiconducto..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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MUN5235DW1
ON
SOT-363
2023+
4857
全新原装环保现货
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MUN5235DW1T1G
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SOT-363
2023+
32557
全新进口原装现货,特价热卖
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MUN5235DW1T1G
ON
SOT-363-6
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
相关型号： MUN5234T1G MUN5234T1 MUN5234DW1T1G MUN5234DW1T1 MUN5233T1G MUN5233DW1T1G

MUN5235DW1T1
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MUN5235DW1T1参数：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：2个NPN预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：2.2k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：47k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：80@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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