N0412N-S19-AY参数：MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1系列：-包装：*FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 50A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5550pF @ 25V功率 - 最大值：1.5W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*
