NCV8440STT1G参数:MOSFET N CH 2.6A 59V SOT-223-4
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):59V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 2.6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):*不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.5nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):155pF @ 25V功率 - 最大值:1.69W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223