NDB6030PL参数:MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:800系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):25毫欧@19A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):36nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1570pF@15V功率-最大值:75W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:TO-263(D2Pak)