NDB6030PL参数：MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：800系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@19A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1570pF@15V功率-最大值：75W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263（D2Pak）
