NDC632P参数：MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@2.7A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@10V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT
