NDC7002N参数：MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing SMPSPowerSwitchPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：510mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2欧姆@510mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：20pF@25V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT