NDD02N60Z-1G参数：MOSFET N-CH 600V IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：75系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.8 欧姆 @ 1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.1nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：274pF @ 25V功率 - 最大值：57W安装类型：通孔封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak
