NDS332P参数:MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing SMPSPowerSwitchPCNDesign/Specification: MoldCompound08/April/2008标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):300毫欧@1.1A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):195pF@10V功率-最大值:460mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:3-SSOT