NDS351N参数:MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: MoldCompound08/April/2008标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):160毫欧@1.4A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3.5nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):140pF@10V功率-最大值:460mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:3-SSOT