NDS9925A参数:MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence: MultipleDevices28/May/2008标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):60毫欧@4.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):-功率-最大值:900mW安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOICN