NDS9952A参数：MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing SMPSPowerSwitchPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A，2.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.8V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：320pF@10V功率-最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
