NDS995L2

NDS9952A
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NDS9952A参数：MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing SMPSPowerSwitch
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A，2.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.8V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：320pF@10V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN