NDT452P参数:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1系列:-包装:Digi-Reel®FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 3A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):525pF @ 10V功率 - 最大值:1.1W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223-3