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NE3512S02

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NE3512S02-A
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NE3512S02-A参数：HJ-FET NCH 13.5DB S02

类别：分立半导体产品-RF FET
产品目录绘图： NEx5Series
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：HFET
频率：12GHz
增益：13.5dB
电压-测试：2V
额定电流：70mA
噪声系数：0.35dB
电流-测试：10mA
功率-输出：-
电压-额定：4V
封装：4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：S02

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